BJT和JFET之间的差异

BJT和JFET之间的关键差异是BJT是双极设备，而JFET是单极设备。因此，因为BJT的操作取决于包括电子和孔的少数群电荷载流子的喷射和收集。与JFET一样，是多数载体设备，因此被称为单极。

BJT和JFET之间的另一个主要区别是BJT在当前控制的设备类别下落下，而JFET落在电压控制的设备类别下。

我们将讨论BJT和JFET之间的其他一些主要差异，但在继续之前，请进一步查看本文根据本文讨论的内容。

内容：BJT vs JFET

1. 比较图表
2. 定义
3. 关键差异
4. 结论

比较

参数	BJT.	JFET.
承运人	双极（大多数和少数民族）	单极（大多数）
符号
设备类型	电流控制设备。	电压控制装置。
输入阻抗	低	高
获得	高增益	低中产率
能量消耗	它消耗更多的力量。	它消耗更少的力量。
噪音水平	高	低
热稳定性	低	高
尺寸	大	小
应用偏好	在低电流施加中是优选的。	在低电压施加中是优选的。

定义

BJT.

BJT是用于的短表格双极结晶体管。它是一个用于切换或放大目的的3个终端设备。

下图显示了由3个端子发射器，基座和收集器组成的双极晶体管的基本结构。

它是通过熔化两个P-N结二极管而形成的，该二极管共享公共终端。通常可以是P或N，因为我们可以在上面所示的图中看到。

它是一个电流调节装置它控制流过它的电流。存在两种不同的BJT配置配置，即，NPN或PNP.。两者都保持相同的操作原理，但两者之间的差异是它们的电源电压的偏置和极性。

让我们来看看NPN双极晶体管的基本操作。

在正常操作条件下，EB结始终偏向，而CB结始终偏向，我们可以在上面所示的图中看到。

由于前向施加的电压V._EB.，N区域中的电子在克服屏障电位之后经历排斥力并在轻微掺杂的基础区域上漂移。当基部区域轻轻掺杂时，只有一些漂移的电子与基部区域中的孔重组。

现在，基区中的电子浓度的增加导致更多电子穿过集电极区域。随着该区域偏转偏置，电子被该区域立即收集。

因此，注意到电流的适当流动，因此发射极电流是基础和集电极电流的求和。

JFET.

JFET是用于的短表格结场效果晶体管。它是3个终端单极设备，通过施加的输入电压控制通过设备的电流流量。这里，3个终端称为源极，栅极和漏极。

所知，因为设备的输出电流由与耗尽区域相关联的字段控制。

它可以是n个通道JFET或P通道JFET。

由于它是电压控制的装置，因此施加的输入电位允许电子的移动因此导致电流流过设备。

下图显示了漏极端子处的正电压的N通道JFET。

在没有任何施加的输入电压的情况下，PN结周围的两个耗尽区域同样宽而对称。然而，在向漏极WRT源施加积极电位上，电子开始从源流过流失。因此，使漏极电流通过排水管流过源。

当栅极终端施加负电位时存在另一个条件，并且漏极积极偏置，我们可以在下面看到：

P-n结的这种反向偏置允许耗尽区域的宽度相当大的增加。结果，这缩小了沟道长度并且由于电阻增加而降低了漏极电流。

栅极电压的任何额外增加将导致漏极电流完全截止。相反，通过降低栅极端子的负偏置，耗尽区的宽度减小。

结论

虽然BJT和JFET都属于晶体管家族，但他们的工作原理将两者区分开来。与JFET相比，BJT尺寸的尺寸和功耗有时会被证明是其缺点。