定义:变容二极管是通过改变P-N结耗尽区宽度来改变电容的原理。P-N结二极管产生电容的影响.电容由外加电压控制。它作用于反向偏置模式。
文字是由文字构成的可变电抗或可变电阻器.因此,它提供可变电阻、电抗或电容,因此被称为变容二极管。变容二极管的符号与常规二极管相同,只是电容符号与二极管符号合并以显示电容效应。
它也被称为电压可变电容器)阴道假丝(致病菌种及或变容二极管二极管。
变容二极管的构造
它由p型和n型半导体组成,采用反偏置技术。n型半导体中的多数载流子是电子,p型半导体中的多数载流子是空穴。在结处,电子和空穴重新结合。因此,固定的离子在结处聚集。由于大多数载波,没有更多的电流可以流动。
这样就形成了耗竭区。耗尽区之所以称为耗尽区,是因为耗尽了载流子,即在耗尽区没有大多数载流子。这是一个介电层,P和n型半导体作为电容器的板。
变容二极管的工作
当反向偏压作用于P-N结时,耗尽层的宽度增大。随着反向电压的增加,损耗层的增加幅度更大。因此,耗尽区产生过渡电容CT。
CT=ɛA / W
在这里,CT为过渡电容,ɛ为介电常数,A为电容器板的面积,W为耗尽层的宽度。
从上述关系可以明显看出,过渡电容与耗尽层的宽度成反比。因此,如果我们想要电容的高幅值,宽度就应该很小。如果反向电压较低,宽度会较小。
同样地,如果我们要求低电容,宽度应该大些,为了增加宽度,施加的反向电压应该高些。因此,这个宽度可以用施加的反向电压来控制。
变容二极管的伏安特性
从特性曲线可以看出,从0 V开始,随着反向电压的增加,过渡电容呈指数级减小。
过渡电容VR和Vk。
CT= K / (Vk+ VR)n
在这里,CT为结电容,Vk为膝电压,VR为反向电压,n值合金结为1/2,扩散结为1/3。因此,电压与电容成反比。
电容器的调谐范围随二极管的掺杂水平而变化。对于突变结,掺杂是均匀的,而对于超突变结,掺杂是不均匀的。
变容二极管的优点
- 低噪音:与其它P-N结二极管相比,它产生的噪声更小。因此,在变容二极管中,由于噪声造成的功率损耗很低。
- 可移植性:体积小,重量轻,便于携带。
- 可靠性:它比其他P-N结二极管更可靠。
- 经济:它是一个低成本的二极管,因此,它是经济的使用在各种应用。
变容二极管的缺点
这些是特别设计的工作在反向偏置模式,它具有最小的意义时,工作在正向偏置。
变容二极管的应用
- 电视接收器:变容二极管被用作调谐电容器,并在各种应用中取代了机械调谐电容器。它用于电视谐振槽电路中。
- 无线电接收器:无线电接收器也使用这个二极管进行调谐。
- 倍频器:它也被用作各种电子电路中的频率乘法器。
- 锁相环:用于锁相环中进行频率调制。变容二极管有助于实现频率调制。因此,在通信器件中变容二极管是很重要的。
- 电压控制振荡器:电压控制振荡器广泛应用于通信的发射和接收电路中。变容二极管在压控振荡器的构造中起着重要的作用。
- 参量放大器:它是参量放大器的重要组成部分。
变容二极管产生电容效应,这是因为它的阴极和阳极端作为电容器的极板,它们之间的区域作为介质介质。
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