变容二极管

定义:变容二极管是通过改变P-N结耗尽区宽度来改变电容的原理。P-N结二极管产生电容的影响．电容由外加电压控制。它作用于反向偏置模式。

文字是由文字构成的可变电抗或可变电阻器．因此，它提供可变电阻、电抗或电容，因此被称为变容二极管。变容二极管的符号与常规二极管相同，只是电容符号与二极管符号合并以显示电容效应。

它也被称为电压可变电容器)阴道假丝(致病菌种及或变容二极管二极管。

变容二极管的构造

它由p型和n型半导体组成，采用反偏置技术。n型半导体中的多数载流子是电子，p型半导体中的多数载流子是空穴。在结处，电子和空穴重新结合。因此，固定的离子在结处聚集。由于大多数载波，没有更多的电流可以流动。

这样就形成了耗竭区。耗尽区之所以称为耗尽区，是因为耗尽了载流子，即在耗尽区没有大多数载流子。这是一个介电层，P和n型半导体作为电容器的板。

变容二极管的工作

当反向偏压作用于P-N结时，耗尽层的宽度增大。随着反向电压的增加，损耗层的增加幅度更大。因此，耗尽区产生过渡电容C_T。
C_T=ɛA / W

在这里,C_T为过渡电容，ɛ为介电常数，A为电容器板的面积，W为耗尽层的宽度。

从上述关系可以明显看出，过渡电容与耗尽层的宽度成反比。因此，如果我们想要电容的高幅值，宽度就应该很小。如果反向电压较低，宽度会较小。

同样地，如果我们要求低电容，宽度应该大些，为了增加宽度，施加的反向电压应该高些。因此，这个宽度可以用施加的反向电压来控制。

变容二极管的伏安特性

从特性曲线可以看出，从0 V开始，随着反向电压的增加，过渡电容呈指数级减小。

过渡电容V_R和V_k。

C_T= K / (V_k+ V_R）ⁿ

在这里,C_T为结电容，Vk为膝电压，V_R为反向电压，n值合金结为1/2，扩散结为1/3。因此，电压与电容成反比。

电容器的调谐范围随二极管的掺杂水平而变化。对于突变结，掺杂是均匀的，而对于超突变结，掺杂是不均匀的。

变容二极管的优点

1. 低噪音:与其它P-N结二极管相比，它产生的噪声更小。因此，在变容二极管中，由于噪声造成的功率损耗很低。
2. 可移植性:体积小，重量轻，便于携带。
3. 可靠性:它比其他P-N结二极管更可靠。
4. 经济:它是一个低成本的二极管，因此，它是经济的使用在各种应用。

变容二极管的缺点

这些是特别设计的工作在反向偏置模式，它具有最小的意义时，工作在正向偏置。

变容二极管的应用

1. 电视接收器:变容二极管被用作调谐电容器，并在各种应用中取代了机械调谐电容器。它用于电视谐振槽电路中。
2. 无线电接收器:无线电接收器也使用这个二极管进行调谐。
3. 倍频器:它也被用作各种电子电路中的频率乘法器。
4. 锁相环:用于锁相环中进行频率调制。变容二极管有助于实现频率调制。因此，在通信器件中变容二极管是很重要的。
5. 电压控制振荡器:电压控制振荡器广泛应用于通信的发射和接收电路中。变容二极管在压控振荡器的构造中起着重要的作用。
6. 参量放大器:它是参量放大器的重要组成部分。

变容二极管产生电容效应，这是因为它的阴极和阳极端作为电容器的极板，它们之间的区域作为介质介质。