JFET的特点

JFET的特点:JFET的特性是通过在漏极电流和漏极源极电压之间绘制曲线来定义的。漏极电流相对于施加在漏极-源极端电压的变化称为其特性。基本上，特性有两种类型，一种是输出特性，另一种是转移特性。

让我们用特征曲线来讨论上面提到的每种类型。在详细描述输出特性时，应该记住一点:输出特性可以在两个场景中观察到。

在第一种情况下，当没有偏置时，即栅端和源端之间没有施加电压时，可以观察到输出特性。另一个条件是在门和源端之间施加偏置。在这两种情况下漏极电流的变化是不同的。

输出特性或排水特性

1. 在没有外部偏见的情况下:在这种情况下，由于栅极和源极之间没有电压，因此漏极电流将从漏极流到源极。我们在JFET的工作中已经讨论过，大多数载流子从源极流向漏极，因此电流从漏极流向源极。

这意味着什么呢?由于没有外部反向偏置，损耗层的宽度不会发生初始变化，因此沟道宽度增大。这就允许大量的电流通过通道。

在这种情况下，n型通道将简单地表现为电阻区。从漏极到源极的电流流动将在栅极和源极之间产生电压降。这将最终导致门源端反向偏置。相对于源区，反向偏置更倾向于源区。

涉及JFET特性的术语

1. 膝盖的观点:在特性曲线中存在一个点，漏极电流与漏极源极电压的变化呈线性关系。但在这一点之后，线性变成了曲线。
2. 通道电阻地区:特性曲线中膝关节点左侧的区域是通道欧姆区。
3. 夹止点:曲线上不论漏极至源极电压增加多少，漏极电流不再进一步增加的那一点称为掐灭点。
4. 夹断电压:截断点的电压称为截断电压，因为在这个电压下，电流完全变为常数。
5. 漏源极饱和电流:漏源饱和电流是指变为恒定或完全进入饱和状态的电流。

在曲线的截断点之后的区域称为饱和区域。当JFET被允许作为放大器件工作时，JFET利用这个区域进行操作。

2. 与外部偏见:当外部偏置作用于门源端时，门源端在外部变为反向偏置。显然，如果我们提供一个外部电压，那么我们可以比没有偏置的电路更早地达到掐断点。

从外偏置的特征曲线可以明显看出。不同的电压值给出不同的电流值。

这里需要记住的是，当我们观察漏极特性与漏极-源极电压的变化时，栅源极电压的值应该保持恒定。

传输特性

在漏源极电压恒定的情况下，通过观察漏源极电流随栅源极电压变化的不同值可以确定转移特性。传输特性与排水特性正好相反。

我们只需要记住这样一个概念:在漏源极特性中，我们保持栅源极电压恒定，并在不同的漏源极电压值下确定漏源极电流的值;而在转移特性中，我们保持漏源极电压恒定。

JFET传递特性的特征曲线如下:可以很容易地观察到，当漏源极电压恒定时，漏极电流的值与栅源极电压成反比变化。

本文讨论了n沟道JFET的输出特性、漏极特性和传输特性。如果我们想要p沟道JFET的特性呢?p沟道JFET的特性会有变化吗?

这个问题的答案是否定的。特征曲线将保持不变。唯一不同的是，在p沟道中，贡献电流的载流子将是空穴而不是n沟道中的电子。此外，对于p沟道JFET，栅源极电压和漏源极电压的极性也会发生反转。