结型场效应晶体管

定义:JFET是一个缩写吗结型场效应晶体管。JFET的工作原理是:流过器件的电流，更准确地说，是输出电流随所施加的栅极电压而变化。

因此，施加在栅极末端的电场控制了通过器件的电流，因此它的名字叫做场效应晶体管。它由三个端子组成门、源、漏。

输出电流从漏极端流向源极端。因此，输出电流称为漏极电流。为了了解JFET的工作特性，我们需要考虑一种类型的JFET, n通道JFET或p通道JFET。

这两种jfet的区别在于涉及传导机制的载流子。n通道涉及由于电子流动的传导，而p通道JFET涉及由于空穴的传导。

JFET的工作

通过三个案例，可以很容易地理解其工作原理。让我们一个一个来理解。

• 当不施加偏压时:在这种情况下，对门端子没有施加偏置。在这种情况下，它意味着门源电压(vg)为0。漏极电压也为0。在这种情况下，耗尽区域的宽度将保持不变。电子将从源端流向门端。

电流的流动方向与电子的流动方向相反。因此，电流将从漏极流向源端。在漏极、栅极和源极处做欧姆接触来提供连接。

• 当施加较小的负偏置时:当一个很小的负电压作用于栅极端，即当栅极对源极电压为负时，耗尽区宽度开始增加。

同时，正电压被施加到漏极到源端。n通道是中等掺杂，p通道是高掺杂。因此，n通道耗竭区宽度大于p通道。

这样形成的楔形耗尽层将减少通过n通道的电流的大小。这是因为随着耗竭层的宽度增加，为电子从源流向漏极提供的空间将减少，最终漏极电流将减少。

耗尽区宽度更接近漏极端而更接近源极端。这是因为栅极在离栅极极近的点比离栅极极近的点更负。并且从漏极流向源极的电流从高阻区流向低阻区，从而产生压降。

• 当施加大的负偏压时:当施加大的负门极到源电压时，这个大的负电场将有助于消耗区宽度的增加。

门极负电压表示p端连接电池负极，N端连接电池正极。这就形成了反向偏置PN结。

反向偏置PN结将产生耗竭区，并且反向电压越大，耗竭区宽度越大。这样，在负电压的某一点，漏极电流会完全切断，两端耗尽层在漏极端附近几乎接触。

这个电压点叫做夹断电压。因此，掐断电压可以定义为在门极施加到源端，使漏极电流完全停止的反向电压。在这一点上，没有电流从结场效应晶体管流过。

JFET的优点

1. JFET结构简单，制造简单，使用寿命长，效率高。
2. 它具有100米左右的高输入阻抗Ω，这是因为JFET的输入端电路是反向偏置的。由于这种反向偏置，JFET在连接到它的输入电路和连接到它的输出电路之间提供了更高程度的隔离。
3. 由于其单极性，操作方便。它涉及到传导的电子或空穴。每次只有一种载流子与传导机制有关，这使传导机制更简单。
4. 它具有更好的热稳定性，这是因为它的电阻具有负的温度系数。
5. JFET提供的频率响应也非常高。

JFET的缺点

1. jfet很昂贵，需要谨慎处理。它比普通晶体管更容易损坏。
2. 它具有低电压增益和小跨导。
3. jfet的增益带宽积也很小。

这是关于JFET的优点和缺点。虽然它有一些缺点，但它仍然是一个重要的电子设备。它既有优点也有缺点，但前者比后者重要。