JFET和MOSFET的区别

JFET和MOSFET的关键区别在于，在JFET中，通道的电导率是由反偏PN结上的电场控制的。相反，在MOSFET中，通道的电导率由沉积在半导体材料绝缘层上的横向电场控制。

当我们讨论工作原理和特性时，两者几乎是相似的。尽管有些方面将两者区分开来。MOSFET基本上是FET的高级版本。它的发明只是为了克服FETs的缺点。

它们都可以应用于电信号的放大，因为它们能够根据施加的电压改变电导率。

到目前为止，我们已经讨论了区分FET和MOSFET的关键因素。现在，让我们使用比较图进一步讨论FET和MOSFET之间的其他重要区别。

内容:JFET Vs MOSFET

1. 比较图
2. 定义
3. 关键的不同点
4. 结论

比较图

参数	JFET	场效应晶体管
操作方式	它只在耗尽模式下运行。	它可以在消耗或增强模式下操作。
象征
输入阻抗	JFET的输入阻抗要小得多，主要是10阶8Ω。	mosfet的输入阻抗要高得多，约为1010到1015ω，漏电电流小。
特性曲线	由于JFET具有较高的漏阻，特性曲线更平坦。	特性曲线比JFET的特性曲线不平坦。
漏电阻	JFET具有10数量级的漏阻5到106Ω	mosfet的漏极电阻是1到50kω的数量级。
制造	与MOSFET相比，JFET的制作工艺较为困难。	由于MOSFET易于制造，因此得到了广泛的应用。
成本	与MOSFET相比，JFET的制造成本更低。	与JFET相比，mosfet稍贵一些。
易受伤害	它不需要特殊处理。	这些更容易受到过载电压的影响，需要特殊处理。

JFET的定义

JFET是结型场效应晶体管的首字母缩写。该器件由3个端子组成:栅、源、漏。

在JFET中，在栅端子上施加一个电场来控制电流的流动。从漏极流到源极端的电流与施加的栅极电压成正比。

jfet基本上有两种类型基本上是n通道和p通道。

通过栅极施加到源极端的电压使电子从源极移到漏极。因此，从漏极流向源极的电流称为漏极电流I_D。

当栅端相对于源端为负时，耗尽区宽度增加。因此，与无偏置条件相比，允许更少的电子从源移到漏极。

当施加更多的负栅极电压时，耗尽区宽度将进一步增大。因此，达到了完全切断漏极电流的条件。

它具有更长的使用寿命和更高的效率。

MOSFET的定义

场效应晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管的首字母缩写。在这里，器件的电导率也随着施加的电压而变化。MOSFET是FET的一个进步。

mosfet有两种类型

1. 消耗型MOSFET和
2. 增强型MOSFET

在耗竭型MOSFET中存在一个预先构造的沟道。因此，所施加的栅源电压将器件开关到关闭状态。

相反，在增强型MOSFET中，不存在任何预先构造的通道。在这里，由施加的电压产生的通道开始导电。

在D-MOS中，负施加的栅极电位增加通道电阻，从而减少漏极电流。相反，在E-MOS中，它的工作需要大的正栅电压。

结论

从上面的讨论，我们可以得出结论，MOSFET比JFET好一些。当我们讨论静电计的应用时，mosfet比jfet更有用。