NPN和PNP晶体管之间的差异（具有比较图表）

主要区别PNP晶体管和NPN晶体管是传导NPN晶体管是由于电子传导时的电子PNP晶体管是由于孔。NPN和PNP晶体管之间的另一个重要差异是电流的流动方向，NPN晶体管中的电流从发射极，相反，PNP晶体管中的电流从发射器收集器。

NPN和PNP晶体管之间的其他差异是偏见条件。NPN晶体管的发射极端子连接到电池的负极端子，而PNP晶体管的发射极端连接到电池的正极端子。

在比较图表的帮助下描述了其他显着差异。

内容：NPN晶体管VS PNP晶体管

比较图表

参数	NPN晶体管	PNP晶体管
定义	由夹在两层n型半导体之间的一层p型材料的晶体管。	由夹在两层P型半导体之间的一层n型材料组成的晶体管。
多数罪行载体	电子	孔
电路符号
多数抵押船的方向	电子从发射极流向集电极。	从发射器流到收集器的孔。
当前方向	电流从收集器流到发射器。	电流将发射器流入收集器。
箭头的方向在电路符号中	从基地终端向外。	向基本终端向内。
作为	它作为电流源，因为它的电流源从晶体管的基极。	它的作用就像电流接收器，因为它完全吸收电流到基端。
电荷载体的移动性	电子具有高迁移率，因此导电性更强	孔在CopMparison中较少移动到电子，因此，PNP晶体管可提供更少的电压。
常用的	NPN晶体管用于大部分应用。	与NPN晶体管相比，PNP晶体管不太使用。
频率响应	响应速度比PNP晶体管快。	频率响应较慢。

NPN晶体管通过夹在两层n型半导体之间的半导体的p晶体中形成。NPN晶体管中的多数电荷载波是电子。全形式的NPN晶体管是Negative-Positive-Negative。

NPN晶体管

NPN晶体管开始导电时发射极基极结是向前偏见。在此发射极结连接到电池的负极，而晶体管的基极连接到电池的正极。

在发射极结中存在的电子将排斥电池的负极并向基极移动。该基极为轻掺杂区，因此孔洞较少。因此，只有少数电子会与空穴结合，其余电子会流向集电极区域。

如果我们能安排基础，发射器和收集器按他们的顺序递增掺杂强度，基座将保持第一位置，然后是收集器，并在列表中持续将是发射器。因此，发射器是晶体管的高掺杂区域。

电子的方向来自发射器到收集器，因此，电流方向将从收集器到发射器。这是因为电流的流动方向与电子流量相反。收集器的大小在所有地区中最大。该基地是最小的与其他地区相比。

PNP晶体管是一种缩写Positive-Negative-Positive，它是由半导体的n型层夹在两层p型半导体之间形成的。大多数的载流子在PNP晶体管是洞。孔负责在PNP晶体管中传导。

PNP晶体管

该PNP晶体管只会在基极发射极结是向前偏见的基于集电极的交界处逆转偏见。PNP晶体管的发射极端子连接到电池的正极端子，而PNP晶体管的基端连接到电池的负端子。

发射区空穴向基极区移动，与电子重新结合。由于轻微掺杂的基地区域，只有几孔将与电子重新组合。剩余的孔将向收集区移动。因此，电流将从发射器流到收集器。

电流的流动方向与空穴的流动方向相同，这是因为空穴是正电荷载流子，电流也是由于正电荷载流子。集电极的尺寸将大于发射极和基极的尺寸，因为如果集电极的尺寸越大，就会收集到更多的载流子。

NPN和PNP晶体管的主要区别是传导在NPN晶体管是由于电子在PNP晶体管中的传导是由于洞。
该发射器NPN晶体管的端子连接到负电池的终端。相反，发射器PNP晶体管的终端连接到正电池的终端。
方向流动在NPN晶体管中，来自收集器到发射器，而PNP晶体管中的电流方向来自发射器到收集器。
NPN晶体管的传导高于PNP的导电，因为移动性与孔的电子更比较。
该电路符号NPN和PNP晶体管除了射极上的箭头方向外，彼此相似。箭头的方向表示晶体管中电流的方向。NPN晶体管的箭头从基极向外，而箭头的方向指向PNP晶体管的内部。
PNP晶体管汇所有流入基区的电流。这可以通过指向基座的箭头来理解。相反，NPN晶体管来源目前在基区的帮助下。
NPN晶体管打开当基极电流开始增加时，在PNP与其相反时。
NPN晶体管需要更多时间开关在与PNP晶体管相比。这是因为NPN晶体管中的电流承载电荷载波是电子。

由于电子从低阻区移动到高阻区，NPN晶体管传导电流。当孔从低阻区移动到高阻区时，PNP晶体管导通。

两者都是晶体管的子类型，都被用于放大或交换处理。它们之间的唯一区别是传导机制。