定义：PNP晶体管是三个末端电流控制装置，该装置由三个端子组成，该终端由夹在两个p型半导体之间的一层n型材料中形成。它充当了当前的水槽因为所有发射器电流都会进入基座端子。
PNP晶体管也可以理解为正负极正晶体管。
参与PNP晶体管导通过程的多数电荷载流子是孔。因此，在收集器处产生的电流是孔的移动的结果。
您必须考虑孔的流动如何导致电路中的电流流动。您将在工作中理解这一概念，我将在本文后面讨论。在此之前，让我们讨论其建筑。
建造
PNP晶体管形成为三层半导体，一个是n型，另外两个是p型。由此形成的结构将是PNP晶体管。它将具有三个终端，第一p型半导体称为发射器，另一个p型材料被称为收集器。
在两个半导体之间的半导体材料称为基座端子。PNP晶体管以这样的方式偏置，使得基极结合结是正向偏置，并且基于集电极的结逆转偏置。
因此，发射极端子连接到电池V的正端子VEB.虽然晶体管的基极端子连接到电池V的负端子EB。通过将集电极端子与电池V的负端子连接，通过将集电极端子与电池V的负端子连接，反向偏置的集电器的结。CB.虽然基站端子连接到电池的正极vCB。
与用于偏置电池源的集电极基端子的电池源相比，电池的电池电压的幅度更多地更加比较。
PNP晶体管的工作
PNP晶体管在发射极限结处于正向偏置时工作，而收集器底部结是反向偏置的。发射极端子由P型半导体形成，因此，对于前端终端应与带负端子连接的正向偏置。
类似地，为了反向偏置集电极基结，P型与负端子连接，同时n型与正端子连接。
在施加偏置后，在发射极基结处形成的耗尽区域将是窄的，同时形成在集电极基结处的耗尽区域是宽的。这是因为发射极限结是正向偏置的，并且在狭窄的情况下向前偏置耗尽层。因此，由于集电极基结的反向偏置，耗尽宽度宽。
有效基地宽度的概念
孔是p型半导体中的多个电荷载体，并且电子是n型电子中的多个电荷载体。发射极区域中的孔将被电池的正端子排斥，并且将被N区中存在的电子吸引。因此，将减少两个结之间的有效基础宽度。
有效的掺杂和叮咬的大小
我们已经在我们的前一篇文章中讨论过，发射器的掺杂高于基础，发射器的收集器和区域也超过基础但少于收集器。底座被轻微掺杂，所以它具有更少的电子。
因此，由于从电池的正极末端排斥，这几个电子由于从发射极区域发射的孔而结合。但由于底座的尺寸和光掺杂的小，只有几孔将与基部中存在的电子相结合。
大多数电子剩余的是尚未与基座端子的电子结合。这些电子将向收集器流向收集器。它们将进一步朝向集电极区域的末端移动，因为它们被电池的负极端子吸引通过电池通过电池连接。
在这原因是由于孔的运动，电流在电路中流动。一些孔也远离基座构成电路中的基极电流。
在发射器中流动的电流方向将朝向发射器，而在基部和收集器中流动的电流方向将向外。下面给出了PNP晶体管中电流的等式。
PNP晶体管的应用
它可以用作开关。通过将分压器电路连接到PNP晶体管来形成电路。
您可以在用作开关的晶体管的电路Digram的帮助下更清楚地了解。
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