二极管和晶体管之间的差异（具有比较图表）

二极管和晶体管被认为是电子设备和电路的骨干。但是在这里，电子领域的这些关键装置之间的相似性。二极管和晶体管之间的主要区别是二极管是a两个终端允许仅从阳极到阴极的一个方向上电流的装置。

相反，一个晶体管是A.三个终端设备通过电流高阻地区至低电阻区域。单词晶体管本身表达其功能，这个词晶体管源自两个单词，转让和电阻器。因此，它被认为是将电阻从一个区域传递到另一个区域的装置。

存在某些因素，这些因素区分了这两个设备，例如耗尽区，应用等。我们将在比较图表的帮助下讨论所有这些因素。

内容：二极管VS晶体管

比较图表

参数	二极管	晶体管
定义	二极管是两个终端装置，其允许电流仅在一个方向上通过。	晶体管是三个端子装置，其允许电流从高电阻区域流到低电阻区域
形成	通过用n型半导体加入p型半导体来形成。	通过在任一端夹在两种n型或p型材料之间的一层p型或n型材料中来形成。
电路符号
耗尽层	只形成一个耗尽区域。	形成两个耗尽区。
连接数量	P型和N型半导体之间只有一个结。	在射门和基部之间形成两个连接，在基础和收集器之间。
终端	在二极管I.阳极和阴极中有2个端子。	在晶体管I.中有3个端子。发射极，基座和收集器。
当作是	它可以被视为开关。	它可以被认为是开关或放大器。
应用程序	整流器，电压双，夹子等	放大器，振荡器等

通过组合两个是一个是一个是的二极管形成二极管P型半导体和其他是一个n型半导体。通过连接这两个半导体形成的连接被称为PN结。该耗尽层由于该区域的不同浓度浓度的电荷载体形成。

二极管建筑

P型半导体具有多个载波的孔，而N型半导体具有电子作为多数载波。现在，PN结的行为在无偏的模式和偏置模式下都会不同。

让我们讨论无偏见的模式第一。在不偏不偏的模式中，来自N区的电子和来自P区的孔将朝向由于浓度梯度而移动。当没有更多的电荷运营商将跨越交界处扩散时，舞台将达到。这个阶段被称为饱和阶段。

在此之后，已达到结的电子和孔将重组。由于这，其他多数载波的运动将受到限制。所形成的区域称为耗尽层。它将创建一个内部电场。

现在走向偏见模式，当应用偏置时，即P型与正端子和N型，带有负端子的P型连接。前电流将开始从阳极流到阴极。耗尽区的宽度随着正向偏置的增加而降低。

类似地，耗尽层的宽度随着反向偏置模式的反向偏置条件而增加。在二极管中流动的电流是因为少数电量载波。这就是所谓的反向饱和电流因为它在特定的反向电压后饱和。然后随着反向电压的增加，它不会进一步增加。

反向电流仅随着增加的增加而增加温度。

晶体管是三个端子装置，由三个区域和两个连接组成。这些地区是发射器那基础和集电极。两个结是基极交界处和基 - 收集器结。

晶体管

这些地区具有不同的特征，它们都具有不同的尺寸。发射器高度掺杂，以便可以创建更多的电荷载波;底座被轻微掺杂，使得只有少量电荷载流子将在那里重新组合并且收集器适度掺杂。

收集器的尺寸比发射器以及收集器，而基座的大小在所有三个区域中最小。收集器和基座之间的耗尽层的宽度大于基极交叉结的宽度。

发射器和基座以这样的方式连接到电池，使得它们以前向偏置模式工作，而收集器和基座以这样的方式连接到电池，使得它变向偏置。因此，大多数电荷载流子将从发射器流到碱，然后基于收集器。收集器的尺寸越大，它收集的电荷载流子越多，也会容易地进行散热。

二极管是双端子单向装置，而晶体管是通过基部将电流从高电阻区域传递到低电阻区域的三个端子装置。二极管用于电子设备的各种应用，例如整流器，夹子，夹具，电压倍增器，开关等。二极管作为开关。当它是向前偏见的时候，它在偏转偏置时掉了。

晶体管可以用作开关，也可以作为放大器。应用程序在二极管和晶体管之间产生了主要区别。二极管是各种类型的类型齐纳二极管，销二极管，光电二极管那发光二极管等。晶体管主要是两种类型双极晶体管和场效应晶体管。