定义:UNIICenction晶体管是半导体开关装置有2层和3个终端，缩写为UJT。它之所以这样称呼是因为只有一个结。它具有用小的输入信号限制大功率的能力，也被称为a双基地二极管。
UJT是一种拥有负电阻特性这意味着它的发射器电流在被触发时再生上升。因此，需要一个发射极电源来限制它。在正常的操作条件下，它通常吸收较少的功率，因此是一个有效的设备。
由于它是一种低成本的设备，因此它广泛用于诸如振荡器，触发器和脉冲发生器等的电路中等。应注意，UJT具有来自BJT的不同的切换特性或者场效应晶体管。
UNIICenction晶体管的构造细节
下图显示了UNIICenction晶体管的基本结构
它的结构几乎与n通道JFET相似。UJT由一个轻掺杂的n型硅棒组成，其中p型材料被扩散从而产生PN结。由于存在一个单PN结，它被称为单结器件。
它由两个欧姆接触在酒吧的尽头，它被标记为基地1 (B1)和以2为底(B2)。在这里，正如我们在上图所示的那样，结构不对称，因为发射极区域更靠近B.2以获得最佳的电气特性。
UJT的符号如下所示:
现在，让我们看看UJT的基本安排:
为了形成互补的UJT，将n型材料扩散在p型杆上。互补的UJT仅由传统的UJT与电流和电压的极性不同，因为两者的其他特征是相似的。
单结晶体管的工作
现在我们考虑下面显示的UJT等效电路：
在这里，R.B1为可变电阻，由于电阻随发射极电流的变化而变化。
电路的两个电阻一起构成总电阻，也就是B之间的电阻2和B.1发射极保持开着的位置称为视觉电阻RBB。
我们可以这样写，
RBB= RB1+ RB2
发射极端子保持打开状态。
通常R的值B1大于RB2。
当电压VBB是应用在两个base端子B之间吗1和B.2，点A的电压是，
V一个=ηVBB
在这里,η.被称为内在的宿舍由，
它的价值持续了小于1。
现在让我们详细讨论一下上述情况。
考虑没有向电路提供发射极电位的情况。在这种情况下，二极管得到反向偏置。因此，包括二极管的势垒，总反向偏置电压将变为，
V一个+ VBV =ηBB+ VB
正如我们所认为的那样，在这种情况下，v的值B将是0。7伏。
如果先前0的发射极电位增加了小值，并且变得等于ηVBB。它会导致发射器电流iE变成0。由于电压水平相等，这就防止了二极管没有电流流过。
进一步前进，如果发射极电位更多，二极管现在将得到偏置。这是因为它超越了整体反向偏见的潜力。将二极管置于正向偏置条件的发射极电位是已知为的峰值点电压并表示为Vp。
这允许发射极电流流过RB1地面，从而最终触发UJT。这最小值的我E触发设备被称为发射极的峰值点电流终端表示我p。
由于二极管前进偏置并开始传导，电阻rB1快速减少。这是因为在进行中，前向偏置二极管将载体注入rB1区域，从而减少电阻，因为它取决于掺杂水平。
由于阻力的减少，RB1也降低了最终导致更多的传导。这导致更大的正向电流和循环重复。该发射极电流受电路的发射极电位限制。
因此，随着发射极电流电压的增加，UJT具有负电阻特性。为了关闭该设备，然后需要一个负脉冲。
单结晶体管的特性
下图展示了UJT的特性，它推导出了V之间的关系E和我E。
正如我们在图中看到的，我E不超过Ieo.，相当于BJT反向的漏电流。但值得注意的是，上述条件只适用于发射极电压位于峰值点左向的情况。该地区被称为截止区。
正如我们已经讨论过的，当发射极电位等于峰值电压时，导电就开始了。在此之后，任何I的进一步增加，发射器电位都会降低E，这简单地显示了r的减少B1。
这就是为什么说器件具有负电阻特性并把这个区域称为负电阻的原因负阻区。
在这之后,一个谷点当器件的发射极电流增加时，器件进入饱和区。
UJT的特色
- 这是一种低成本设备。
- UJT是一种具有高脉冲电流能力的设备。
- 它具有负阻特性，是一种工作时吸收较少功率的装置。
UJT的应用
- UJT是一种用于晶闸管触发的装置。
- 用于直流电压的控制，在过电压检测和磁通测量的情况下。
- UJT用于宽松振荡器电路。
单结晶体管的负电阻特性是其工作的基础，因此，该器件可以用作振荡器。
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