二极管和齐纳二极管之间的差异

一种二极管是仅在一个方向上沿一个方向进行的半导体器件。一种齐纳二极管是一种半导体器件，它既可进行正向偏置，也可进行反向偏置。一种正常的二极管如果操作逆转偏见将得到摧毁。因此，一个普通的PN结二极管被认为是一个单向器件。相反,齐纳二极管是以它可以在一个方面进行的方式设计的逆转偏见没有损坏的模式。

这兴奋剂强度也是区分传统二极管和齐纳二极管的关键特征之一。正常的PN结二极管适度掺杂，而齐纳二极管掺杂其具有它所拥有的方式尖锐的击穿电压。

我们将借助比较图讨论二极管和齐纳二极管的其他一些区别。

内容：二极管VS齐纳二极管

1. 比较图表
2. 定义
3. 关键差异
4. 结论

比较图表

参数	二极管	齐纳二极管
定义	二极管是仅在正向偏置方向上进行的半导体器件。	齐纳二极管是可以在向前进行的半导体器件以及反向偏置。
反向偏置运算	它因反向偏见而受损。	它可以在不损坏的情况下运行。
电路符号
掺杂强度	在正常的二极管中掺杂强度很低。	在齐纳二极管掺杂强度高度达到尖锐的击穿。
应用	二极管用于整流器、断流器、箝位器等。	稳压器主要采用齐纳二极管。

定义

二极管

通过连接两层半导体材料，即p型层和n型层形成二极管。调用通过加入这些层而形成的结PN结。P型层也可以被理解为正层，因为p型层中的多个电荷载流子是孔。类似地，N型层也可以被认为是负类型层，因为它由电子作为多数载波组成。

当二极管正向偏置时，它不会瞬间启动传导，但是在特定的正向电压之后开始传导。这种正向电压称为膝盖电压二极管。膝关节电压的值取决于它是锗的半导体材料0.3V.和硅，它是0.7 v。

当二极管反向偏置时，耗尽区域变得更宽。相反，耗尽区域的厚度随着正向偏置电压的增加而降低。因此，在反向偏置条件下，耗尽区不会让电流流过它。

但是少数竞争因子可以以反转的偏置模式流动，构成二极管中的小电流。这是温度依赖如果反向电压超过特定值，则温度增加，少数载波呈指数增加，这可能破裂二极管。

因此，建议仅用于正向偏置模式的正常PN结二极管。

齐纳二极管

一种齐纳二极管通过适当的掺杂，可以通过控制二极管的耗尽宽度来改变击穿电压。这就是在反向偏置条件下使用齐纳二极管的优点。

以与传统二极管构造的类似方式构造齐纳二极管唯一的区别是兴奋剂特征。当齐纳二极管正偏时，它的导通方式与普通二极管的导通方式相似。当它反向偏置时，它导通，这就形成了齐纳二极管双向半导体设备。

齐纳二极管可以由电压源和电阻器组成的等效电路来理解。齐纳二极管具有同样的功能。掺杂越高，齐纳电压越低，耗尽宽度越窄。因此，我们可以通过适当的掺杂来改变齐纳二极管的宽度，从而改变击穿电压。

因此，我们可以通过控制击穿电压来防止二极管击穿。在击穿电压下，二极管不会突然燃烧，因为外部电阻保护电流流过二极管。

结论

二极管和齐纳二极管，两者都是两个终端半导体器件，但区分两者的关键点是在反向偏置模式中操作的能力。齐纳二极管采用方式设计，使得它们可以以反转的偏置模式运行而不会受损。相反，正常的PN结不能用于此目的。