并行操作的晶体闸流管讨论了并联连接多个晶闸管的要求，可控硅在并联配置的操作，以及当多个晶闸管被包括在内时要考虑的因素。
需要并联可控硅
我们在讨论……的时候已经讨论了118高手论坛网站 目前可用的可控硅额定电压和电流分别为10kv和3ka。但有时即使单个晶闸管的高值也不能适应电路的高电流和高电压额定值。这意味着在某些应用中，要求比单晶闸管提供的额定电流或电压高。
电路的高电压的要求由单个晶闸管的额定值通过晶闸管的串联连接获得，我们在前一种内容中讨论过。
每当电路的负载需要比单个晶闸管（SCR）的额定电流值需要更多的电流时，会发生对晶闸管的并联连接的需求。更简单地，我们可以说，当电路的负载需要大于单个晶闸管的电流的额定值时，需要并行连接。这意味着共享负载电流的大值，各种SCR在并行配置中连接。
因此，为了实现比单个晶闸管的实际额定值的电流值更高，各种SCR并联连接形成串。
类似于晶闸管的串联连接，这里还要确保总电流在串中存在的SCR之间同样地共享，它们各自的I-V特性必须在前进导通模式期间相同。因此，在配置中，必须连接相同类别的晶闸管。
字符串效率是参考SCR的并行连接的重要参数，并且被定义为：
它是衡量并联配置中可控硅的有效利用率，一般小于1。其价值低于统一的原因是，虽然配置中的可控硅属于同一类，但它们之间相对于额定值和规格仍存在一些不同，导致并联可控硅之间的电流分配不均等。结果是字符串效率永远不能等于1。
现在，问题出现了，为什么同一类可控硅显示不同的特性，从而提供不等的电流分配．
因此，基本上在配置中，动态电阻值较低的器件共享较大的电流值。这种特殊的可控硅的温度会比其他具有较高动态电阻的可控硅的温度要高。温度的升高导致动态电阻的进一步降低，从而使电流增加更多。这个累积过程一直持续到设备损坏为止。
与此类似，开机时间、延时时间、手指电压等因素的差异也会造成设备操作困难。虽然这种配置中的各种可控硅是并行添加的，但它们必须具有相似的锁存电流值，即必须同时打开，并且必须在去除栅极脉冲后仍然保持关断状态。此外，他们的持有电流必须不会显示出很大的变化，随着负载电流的减少，其中一个并联设备在串中被关闭时，电流下降到其各自的持有电流值。
然而，一旦设备被关闭，即使电流增加，非导电性设备也不会得到，直到时间门脉冲没有应用。
并联可控硅的运行
到目前为止，我们已经有了一个基本的想法，即当电路的电流要求超过一个晶闸管所提供的额定电流时，晶闸管就并联连接。为了使整个电流在可控硅之间平均分配，它们必须具有相似的I-V特性。
下图表示其电压降V的两个晶闸管的并联连接T必须是相同的，这样两者可以共享相等的电流。
查看带电压降的SCR的前向传导特性V.T．
在这里，它可以清楚地看起来是scr1分享其额定电流值i1而scr.2携带电流I.2它的值比I小多少1．电路的额定电流为2I1但是单位将携带的整体目录是我1+ I.2．
因此，在这种情况下，将给出字符串效率：
这里注意到，对于SCR的正确操作，我们必须保持相同的温度，在安装时需要常见的散热器。
现在，让我们来了解一下如何实现均一的电流共享。为了保持恒定的电流通过每个并联的可控硅，一个合适的值的外部电阻必须连接在每个可控硅串联。
下面所示的图形清楚地代表相同的：
在这里注意到r1, R2， - R.N对应外部电阻，RT1, RT2， - R.TN.是配置中出现的各种可控硅的动态电阻。为了平衡流过每个晶闸管的电流，外部电阻的值，即R1, R2， - ，rN以这样的方式被选择RT1+ R.1= RT2+ R.2= -TN.+ R.N．
有时，由于在给定配置中携带电流的导体所提供的感应效应，并联可控硅之间的电流分布不均匀。基本上，当scr以如下图所示的不对称方式排列时:
然后在这种情况下，相比于两个导体存在于两端，中心的一个将有更多的电感，因为它将有磁链从其他两个导体以及。由于这个原因，一个相对较小的值的电流将流过可控硅，这是在中心比外部两个。为了解决这个问题，可控硅对称布置在散热器上，如下图所示:
当我们处理交流电路时，可以通过使用电抗器来均衡电流分布，该反应器提供了并行路径的磁耦合，如下所示：
在这里，反应器具有中间点A，因此对于阳极电流i1+ I.2，在反应器的两半中产生的磁通量将彼此反对。然而，这种相反的磁通量将被取消，因为反应器处的电压降为0。
在这种情况下我1> I.2然后，尽管链接通量，但整个磁通连杆将不会为0将诱导EMF L1和我2穿过反应堆的两半。诱导的emf l1将反对当前的流程1和我2将支持当前的电流2．通过这种方式，降压和我的提升1和我2分别举行，这有助于最小化并行配置中电流的不平衡。
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