晶闸管和晶体管之间的差异

一个晶闸管是一种具有高电压、高电流额定值和大功率处理能力的半导体器件。相反地，晶体管无法处理相当于晶闸管处理的大功率。此外，晶体管的电流和电压额定值也很低。从而，功率处理能力区分这两种设备。

尽管如此,晶闸管和晶体管两者都是开关应用的关键设备，但由于它们的特性不同，它们有自己的应用领域。

在其结构特征中显而易见的晶体管和晶体管之间的另一个差异是晶闸管由以替代方式布置的四层p型和n型材料形成。另一方面，通过夹住一层，形成晶体管p型要么n型层间半导体材料分别为n型和p型材料。

现在，你必须粗略地了解差异之间的差异晶闸管和晶体管。但是分歧并没有到此为止;上述四层和三层装置还有很多不同之处。我们将在老师的帮助下讨论所有这些问题比较图表。

但是在我沉溺于比较图表之前，让我们快速浏览一下本文的路线图。

内容：晶闸管VS晶体管

1. 比较图
2. 定义
3. 关键差异
4. 结论

比较图

参数	晶闸管	晶体管
定义	晶闸管是一种用于整流和开关的四层半导体器件。	晶体管是一种三层半导体器件，主要用于放大和开关。
动力处理能力	与晶体管相比，它更像。	比晶闸管少。
电流和电压额定值	高电流和电压额定值。	额定电流和电压低
内部损失	与晶体管相比的少。	与晶闸管相比更多。
开机和关机时间	需要更多的时间来开启和关闭。	需要更少的时间打开和关闭。
成本	它是昂贵的。	它是廉价的，因此使用多种应用是经济的。
重量	它是笨重的。	它的重量轻。
触发程序	它只需要一个脉冲就能切换到传导状态。	它需要连续地将其保持在导通状态。
高频应用	不合适。	适当
高功率应用	适用于大功率场合。	不适用于大功率场合。

定义

晶体管

一个晶体管半导体器件由发射极、基极和集电极三个端子组成。它可以用作放大器或开关，这取决于晶体管结的偏置。发射极和基极组成发射极限结而集电极和基端构成收集器基条交界处。

发射极端是重掺杂的，因此由大量载流子组成。这些载流子通过基极区流向集电极，由于电流在晶体管中流动。晶体管在三个区域工作有源区，饱和区和切断区域。

晶体管的有源区特性用于微弱信号的放大，晶体管的饱和区和截止区特性用于开关应用。

晶闸管

一个晶闸管是由四层半导体材料。它由三个端子组成阴极、阳极和门码头。晶闸管的门端用作控制端。可控硅被接通在国家通过向晶体管提供初始电流，晶体管将保持ON状态。

它就像通过基座集电极端子连接在一起的两个晶体管PNP和NPN。PNP的集电极连接到NPN的基部，因此NPN晶体管将切换到状态，并且NPN的集电极连接到PNP晶体管的基极。以这种方式，只需提供给PNP晶体管的初始触发即可保持晶体管。

结论

晶闸管和晶体管，两者都是开关装置，但晶闸管不适合高频应用，晶体管不适用于高功率应用。在高频应用中，我们应该使用晶体管，因为它很小打开和让我倒尽胃口。但在大功率应用中，晶闸管具有较大的载流能力，应采用晶闸管。

如果将晶闸管用于高频应用开关会怎样?这将导致产生的电路的效率很低。因此，只有当我们了解这些装置之间的差异时，我们才能在适当的应用中利用它们。