双向可控硅

定义:双向可控硅是3号终端吗ac开关显示传导在两个方向上。这些被触发成传导由低能量门信号。双向可控硅是缩写形式三歌唱的一个lternatingCurrent。这是一个双向的设备那是属于晶闸管家庭，基本上是一个diac与栅极终端，用于控制设备的打开条件。

更具体地说，在可控硅中，三表示3终端设备和交流表示用于控制交流电。16kw额定可控硅很容易获得。在电力电子控制领域有着广泛的应用。

让我们来看看可控硅的原理图符号:

双向可控硅的建设

下图显示了可控硅的基本结构:

正如我们已经讨论过的，它是3终端和4层设备，它由2个可控硅在反向并联连接有一个栅极端子。它有6个掺杂区域，欧姆接触由N和P两个区域的栅极构成。因此，触发脉冲的任何一个极性都可以启动器件中的传导。

让我们看一看可控硅基本结构的电学等效物。

由于它是一个双向器件，因此阳极和阴极没有任何意义。因此，终端表示为太₁和太₂与栅极终端一起G。

可控硅的操作

可控硅是一种不管终端电压极性如何传导的器件。因此，有4种不同的操作可能性。

现在让我们分别讨论这些情况:

1.当门和MT₂对MT的电位是正的吗₁:

正电电位在MT中的应用₂关于太₁，两个结点P₁- n₁和P₂- n₂正向偏压。因此电流流过P₁- n₁- p₂- n₂。因此，可控硅在这种情况下称为正偏。

2.当太₂对MT来说是正电位而门是负电位₁:

和前面的例子一样，这里电流也流过P₁- n₁- p₂- n₂。但是这里，结点P₂- n_3.在P中注入载流子使可控硅向前偏置₂。

3.当门和MT₂对MT来说是负电位吗₁:

在这种情况下，现在电流流过P₂- n₁- p₁- n₄。结P₂- n₁和P₁- n₄是正向偏置的，同时N₁- p₂被阻塞，因此被认为是消极偏见的。施加的负栅极电位正偏置结P₂- n_3.从而在器件中启动传导。

4.当太₂是在负电位，但是门相对于MT是在正电位₁:

和前面的例子一样，电流流过P₂- n₁- p₁- n₄。结P₂- n₁和P₁- n₄正偏置导致载流子注入，从而打开器件。

可控硅的特性

可控硅的特性曲线基本具有以下4种模式:

模式1:它是第一象限运算V_MT21和V_G1两者都是积极的。

模式2:是第二象限运算V_MT21是积极的和V_G1是负。

模式3:是第三象限运算V_MT21和V_G1两者都是负。

模式4:第四象限运算V_MT21是负和V_G1是积极的。

在这里,V_MT21表示终端MT的电压₂关于终端MT₁和V_G1表示栅极电压相对于终端MT₁。

当设备开始导电时，会有非常大的电流流过。然而，如此大的电流会损坏设备。因此，采用一个外部电阻来限制过剩电流。在这里，控制终端是门，适当施加门电位可以控制器件的发射角。

典型可控硅的电压和电流如下所示:

1. 开态电流:25一个
2. 开态电压:1.5 V
3. 平均触发电流:-马5
4. 保持电流:75毫安

双向可控硅控制电路

让我们来看看可控硅控制电路如下所示:

在输入周期的正半和负半期间，交流电源通过开关和断开控制负载。正半正向偏差D1和反向偏差D2门相对于A是正的₁。

然而，在负半周期中，D₂现在是正向偏置，但是D₁得到反向偏置，栅极相对于终端A是正的₂。电阻R₂在电路中采用控制导通起始点的方法。

双向可控硅的优点

• 它的结构简单，因为它需要单保险丝保护。
• 正、负极性电压均可触发可控硅。

双向可控硅的缺点

• 可控硅的可用额定值比可控硅低。
• 这些都不太可靠。
• 在两半波形发射时不存在对称性。
• 非对称切换使其更容易出现问题。

双向可控硅的应用

• 用于交流控制。
• 用于雷电控制。
• 可控硅在电动机上得到了应用。

利用可控硅控制交流电源，取得了有效的效果。由于可控硅直接连接到交流电源，因此在电路测试时需要确保适当的安全性。