向后二极管

定义:反向二极管是一种工作在反向偏置模式下的半导体器件。它是通过提供齐纳二极管和隧道二极管设计特性的变化而设计的。它是单侧装置，因为它的设计机制只允许它在一个方向上操作。

它是为特定目的而设计的。它的反向偏压工作方式与传统二极管的正向偏压工作方式相同。反向二极管采用了隧道二极管的负阻特性。

落后二极管的结构

反向二极管的结构与隧道二极管相似。结的一边是轻掺杂的，另一边是重掺杂的。这样产生的特性与隧道二极管的特性相似。

二极管的操作在反向偏置模式下进行，因此它被调用反向二极管。

反向二极管电路符号

向后二极管的电路符号是传统P-N二极管的略微修改的符号。二极管的阳极端子与传统二极管相同，同时略微修改阴极端子，以便与传统的P-N二极管区分二极管。

反向二极管工作原理

反向二极管的工作原理与隧道二极管相似，量子隧穿机制在反向偏置工作中对电流传导起着至关重要的作用。利用反向二极管的能带图可以详细了解反向二极管的工作原理。

在上图中可以看出，在无偏置条件下的半导体的能带可以看出。称为更高能级的频段导带和较低能量水平的频段被称为价带。

当外部能量供给给电子时，电子达到激发态能量，进入导带。当电子从价带离开到导带时，它们在价带中留下空穴。

在无偏置条件下，填充的价带与填充的导带相反。但是当对半导体施加反向偏置时，p区相对于n区向上移动。p边的填充带与n边的空带正好相反。因此，电子开始从p区的填充带隧穿到n区的空带。

因此，电流甚至在反向偏置的情况下流动。当应用正向偏置时，n边相对于p边向上移动。因此，n型半导体的填充价带与p型的空导带正好相反。因此，电子从n型流向p型。

向后二极管以反向偏置模式操作。负性创建区域，该区域用于二极管的操作。

向后二极管的特点

反向特性与齐纳二极管的特性相似。下面的图表可以帮助理解正向特征。最初，电流随着电压的增加而增加，但经过一段特定的时间后，电流的大小变得恒定。即使电压变化很大，也不会有显著的增加。

反向二极管的优点

1. 温度敏感性:反向二极管的温度灵敏度小于传统二极管的温度灵敏度。反向二极管的灵敏度为-0.1 mV /⁰C对于半导体材料，即锗和硅。另一方面，传统二极管的灵敏度是-2mv /⁰C。因此，由于对低温敏感，反向二极管受温度变化的影响较小。
2. 低断点：后向二极管的断点是0 V，而传统二极管的断点在0.6V-0.7V之间。因此，其低断点对于各种应用是有效的，因为该装置可以承受在没有击穿的情况下承受高幅度的电压设备。

而传统的二极管断点不低，因此不能承受高电压，如果电压超过0.6 V - 0.7 V二极管击穿。

3. 低噪音水平：这些二极管的噪声水平较低，因此在二极管情况下的信噪比远好于传统二极管。
4. 效率：该二极管的效率也优于传统的二极管，其结构特性赋予了二极管改进性能的能力。

向后二极管的应用

1. 探测器:可作为频率高达40ghz的探测器使用。它具有较低的电容，因此电荷存储问题在这些二极管中被最小化。此外，它对小信号的非线性特性使其适合于探测器的应用。
2. 转变：这些二极管的低电容使二极管能够有效地从On状态切换到off状态。因此，它被用于开关电路。
3. 整流器:用于校正峰值电压较小的信号，即约0.1 V- 0.7 V。

这都是关于反向二极管。它具有的低电容特性被应用于开关应用中。此外，它也发现了整流电路的意义。