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定义:点接触二极管是通过将金属线与n型半导体接触形成小面积的接触而形成的。这就形成了一个小点结点。由于这种小点结具有较小的结电容值，因此得到了广泛的应用。因此，在结处的电荷储存量很低。因此，二极管的开关能力比传统的二极管好得多。点接触二极管的结构它是由一个n型半导体的触点组成的。(阅读更多…)关于点接触二极管

定义：快速恢复二极管是一个半导体器件，其具有在高频下进行整流器的较短反转恢复时间。快速恢复时间对于精馏高频AC信号至关重要。二极管主要用于整流器，因为它们具有超高的开关速度。传统二极管的主要问题是它们具有相当高的恢复时间。由于传统的......不可能实现高频的整流。(阅读更多…)关于快速恢复二极管

步进恢复二极管是一种异常掺杂半导体器件;它也是一个电压相关的可变电容器。在结区附近掺杂密度非常小。因此，在结附近载流子的密度也很低。由于在结附近的电荷存储可以忽略不计，这将导致二极管从ON状态快速切换到OFF状态。由于它在低频率下的快速开关，它也被用作电荷控制开关在各种应用中。…(阅读更多…)关于阶跃恢复二极管

定义:激光是由受激辐射产生的光放大的缩写。激光二极管发出单一波长的辐射，有时是一个窄带的紧密间隔的波长。它由于受激发射而发光，在此过程中当入射光子撞击半导体原子时，能级较高的电子与能级较低的空穴重新结合。由于这两个光子被发射，一个是入射光子，另一个是由于电子的重组而发射的。(阅读更多…)对激光二极管

定义:Gunn二极管是一种转移电子器件，它仅由一种类型的半导体组成，即n型半导体，利用负电阻特性在高频下产生电流。它被用来产生射频和微波频率。它只由n型半导体组成，因为n型半导体以电子为主要载流子。而转移电子器件则使用以电子为主要载流子的材料。等……(阅读更多…)关于Gunn二极管

光电二极管主要有两种类型:PIN型光电二极管和雪崩型光电二极管。定义:PIN光电二极管是一种可以修改耗尽层厚度以产生大光电流的光电探测器。如果耗光层的厚度大于光落在上面的表面积也会增加。因此，光电二极管的转换效率提高，产生更多的光电流。PIN型光电二极管的结构(阅读更多…)关于光电二极管的类型

定义：光电二极管是两个端子电子设备，当暴露于光时，电流在二极管中开始流动。它仅以反向偏置模式操作。它将光能转化为电能。当普通二极管反向偏置时，反向电流随着反向电压的增加，相同可以应用于光电二极管。但在光电二极管的情况下，电流可以流动而不施加反向电压，光电二极管的P-N结是......(阅读更多…)对光电二极管

定义:肖克利二极管是一个四层(P-N-P-N)器件。当正向偏压时它就会导电，当反向偏压时它就会停止导电。传统二极管和肖克利二极管的主要区别是，当正向电压超过开断电压时，肖克利二极管开始导电。它是由威廉·布拉德福德·肖克利发明的，这就是它以发明者命名的原因。肖克利二极管在商业上没有广泛应用。尽管如此，它还是构成了Diac、可控硅等设备的支柱。(阅读更多…)关于肖克利二极管

LED (Light Emitting Diode)是一种基于电致发光原理的光电器件。电致发光是材料将电能转化为光能，然后辐射出这种光能的特性。同样，LED中的半导体在电场的影响下发光。LED的符号是由P-N结二极管的符号与向外的箭头合并而成。这些向外的箭头象征着光的辐射…(阅读更多…)关于LED.

定义:变容二极管是通过改变P-N结耗尽区宽度来改变电容变化原理的二极管。P-N结二极管产生电容效应。电容由外加电压控制。它在反向偏置模式下工作。字符字由可变电抗或可变电阻器字组成。因此，它提供可变电阻或电抗或电容，因此它被称为变容二极管。变容演员的符号…(阅读更多…)关于变容二极管