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定义:Gunn二极管是一种转移电子器件，它仅由一种类型的半导体组成，即n型半导体，利用负电阻特性在高频下产生电流。它被用来产生射频和微波频率。它只由n型半导体组成，因为n型半导体以电子为主要载流子。而转移电子器件则使用以电子为主要载流子的材料。等……(阅读更多…)对耿氏振荡器

光电二极管主要有两种类型:PIN型光电二极管和雪崩型光电二极管。定义:PIN光电二极管是一种可以修改耗尽层厚度以产生大光电流的光电探测器。如果耗光层的厚度大于光落在上面的表面积也会增加。因此，光电二极管的转换效率提高，产生更多的光电流。PIN型光电二极管的结构(阅读更多…)关于光电二极管的类型

定义:光电二极管是一种双端电子器件，当被光照时，电流开始在二极管内流动。它仅在反向偏压模式下运行。它把光能转换成电能。当普通二极管反向偏置时，反向电流开始随反向电压增加，这同样适用于光电二极管。但是在光电二极管的情况下，电流可以在不施加反向电压的情况下流动，光电二极管的P-N结是…(阅读更多…)对光电二极管

定义:肖克利二极管是一个四层(P-N-P-N)器件。当正向偏压时它就会导电，当反向偏压时它就会停止导电。传统二极管和肖克利二极管的主要区别是，当正向电压超过开断电压时，肖克利二极管开始导电。它是由威廉·布拉德福德·肖克利发明的，这就是它以发明者命名的原因。肖克利二极管在商业上没有广泛应用。尽管如此，它还是构成了Diac、可控硅等设备的支柱。(阅读更多…)关于肖克利二极管

LED (Light Emitting Diode)是一种基于电致发光原理的光电器件。电致发光是材料将电能转化为光能，然后辐射出这种光能的特性。同样，LED中的半导体在电场的影响下发光。LED的符号是由P-N结二极管的符号与向外的箭头合并而成。这些向外的箭头象征着光的辐射…(阅读更多…)有关领导

定义:变容二极管是通过改变P-N结耗尽区宽度来改变电容变化原理的二极管。P-N结二极管产生电容效应。电容由外加电压控制。它在反向偏置模式下工作。字符字由可变电抗或可变电阻器字组成。因此，它提供可变电阻或电抗或电容，因此它被称为变容二极管。变容演员的符号…(阅读更多…)对变容二极管

定义:PIN二极管是将p型和n型半导体之间的固有层(约0.1ω-m的高电阻率)夹在一起形成的，在p型和n型半导体之间形成电场。由于电场的大小很大，电子-空穴对的产生将大大增加，反过来，这可以处理微弱的输入信号。耗竭层的宽度较大，电容随层间间隔的增大而减小。(阅读更多…)对PIN二极管

定义:肖特基二极管是一种不存储载流子的金属-半导体结，因为它没有耗尽层。它在需要快速切换的场合得到了应用。肖特基二极管的意义:当P-N结二极管正向偏置时，它开始导电，但当反向偏置时，它停止导电。但是这种从传导到绝缘的转变不是瞬间的。二极管需要一段时间才能达到无导的稳定状态。(阅读更多…)对肖特基二极管

定义:隧道二极管是一种由于杂质原子浓度较高而具有高导电性的重掺杂二极管。它与传统的P-N结的掺杂密度不同。它的工作原理是挖隧道。隧道二极管的原理图如下图所示。隧道二极管的结构隧道二极管通常由镓构成。镓的化合物，如砷化镓和锑化镓，是一种新型的化合物。(阅读更多…)关于隧道二极管

定义:齐纳二极管是专门为在反向偏置条件下的击穿区工作而设计的。它也称为击穿二极管。为了达到锐击穿电压，需要适当的掺杂。美国科学家C.齐纳解释了这种崩溃现象。在前一篇文章中，我们讨论了二极管。根据二极管的工作机理可以将其分为不同类型。因此，它们以不同的方式为特定的应用程序设计。不同的二极管……(阅读更多…)关于齐纳二极管